4월에는 해외 파견을 준비하며 작성 및 진행하였던 내용 공유 드립니다.

[과학⋅기술적 측면]

  o 차세대 뉴로모픽 AI 반도체용 새로운 원천소재 및 공정기술 확보

  o 저차원 소재 기반 메모리 원천기술 확보

  o 높은 안정성을 가지는 고밀도 및 저전력 전자소자 제작 

  o 고품질 저차원 소재합성의 양산화

[경제적․사회적 측면]

  o 저차원 반도체 소재 합성 양산화 기술 확보 및 응용 분야 확대를 통한 시장개척

  o 저차원 소재 공정 특화 인재 양성 및 우수 인력 확보

[인프라 측면]

  o 차세대 메모리 개발을 위한 고급 전문 인력 확보 및 국제공동연구 네트워크 구축

  o 탐침증강기술기반 저차원 반도체 소재 평가환경 기술 정립 

  o 차세대 반도체 핵심인재 양성을 통한 국가 경쟁력 강화

    - AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 확보하기 위해서는 AI 반도체 시장에서 필요한 인력을 미리 양성하고 산업계에 유입하는 정책이 필수적임. 본 과제를 통하여 새로운 기술을 개발뿐만 아니라, 핵심인재 양성을 위한 국가정책의 부가가치창출 통로로 활용될 수 있을 것으로 기대됨. 국제공동 학·연 협력 R&D을 통하여 새로운 물질/소자를 이용한 뉴런/시냅스 소자를 개발하고, 초기 단계인 3세대 뉴로모픽 AI 반도체 분야의 고급인재 양성

  o 차세대 반도체 분야 산학연 생태계 강화

    - AI 반도체 분야는 다양한 융합전공이 필요한 기술이기에 다양한 전공을 가지는 컨소시엄을 구성하였음 (소재/나노/소자 등). 본 인력양성 과제를 통하여, 다양한 전공의 공동연구자와의 교류 및 산업계 전문가와의 자문 등의 건전하고 발전적인 형태의 연구개발과제 생태계가 구축될 수 있을 것으로 기대됨. 기존 기술이 해결하지 못한 3세대 AI 반도체의 양산화 어려움에 대한 기술적 해결점을 제시하여 미래 기술의 구현과 사회적 활용 시기를 단축.

o 탐침증강기술기반 trap density 정량평가법 정립

- 표면 일함수 측정을 통한 trap density 계측 조건 정립

세부 실행 항목 1 (25.7.07~25.7.21)에는 KPFM (켈빈프로브 힘 현미경)을 통하여 플라즈마 공정 전·후의 소재 계면에 존재하는 일함수 이상값을 통해 defect point를 감지하고, 밀도를 계측

- KPFM과 PiFM (광유도력 현미경)의 상보적 측정을 통한 탐침증강기술기반 mapping 조건 정립

 ◈ 세부실행항목2 (25.07.22~25.08.07)

  o 차지 트랩 기반 프로토타입 시냅스 소자 개발 기술 연구

- 차지 트랩 기반 시냅스 소자 제작 공정 조건 적용

대학원생 국제 파견 및 국제공동 R&D 협력 모델 

고품질 저차원 반도체 소재의 초고속 합성 기술은 2023년 세계 최초로 미국에서 개발되었음.

 [1] 고품질 저차원 소재의 초고속 합성 기술은 nucleation rate 차이가 있는 패턴 기판을 활용하여 국한된 영역에만 고속으로 합성하는 기술로써, 매우 많은 노하우와 기술력이 요구됨

 [2] 상기 기술은 일정 기간(3년) 국내에서 독자적으로 개발하기 어려우며, 해외기관과의 협력으로 후속 기술을 개발할 경우, 개발 기간 및 비용 등을 단축할 수 있으므로 국제공동 R&D가 필수적임

 -> 본 파견에서는 미국의 저차원 소재 국한 영역 합성 기술을 시냅스 소자용 채널 소재 합성에 응용하여, 차세대 반도체를 개발하는 협력 모델을 수립하고자 함